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申请/专利权人：南京邮电大学
摘要：本发明涉及半导体器件技术领域，具体涉及一种具有κ相氧化镓栅介质的GaN基P沟道HFET结构；本发明通过设置第一隔离区和第二隔离区，并在第一隔离区中设置base电极，第二隔离区中设置κ相氧化镓栅极介质及栅电极，利用κ相氧化镓极高的自发极化强度，耗尽栅极区域下的2DHG，进而实现增强型P沟道HFET；此外本发明还公开了一种栅极与base极相连的结构，有效提升了P沟道GaN器件的开态电流，同时抑制了正偏压下的栅极漏电流；此结构与目前常用的半导体器件生产工艺兼容性高，稳定性好。
主权项：1.一种具有κ相氧化镓栅介质的GaN基P沟道HFET结构，其特征在于，所述GaN基P沟道HFET结构包括主体结构；所述主体结构中一侧设置有第一隔离区；所述第一隔离区中设置有base电极；所述主体结构中间区域设置有第二隔离区；所述第二隔离区中设置有κ相氧化镓栅极介质及栅电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 南京邮电大学 具有κ相氧化镓栅介质的GaN基P沟道HFET结构
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