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申请/专利权人：深圳天狼芯半导体有限公司
摘要：本申请属于功率器件技术领域，提供了一种具有软恢复的超结MOSFET及其制备方法、芯片，通过设置N型漂移层呈十字形结构，将第一P柱与第一P型基区分隔开，由N型漂移层对第一P柱与第一P型基区之间的区域进行填充，将第二P柱与第二P型基区分隔开，由N型漂移层对第二P柱与第二P型基区之间的区域进行填充，该十字形结构抑制了超结MOSFET器件在反向恢复时第一P型基区中的空穴向第一P柱的注入，第二P型基区中的空穴向第二P柱的注入，减缓了体二极管的反向恢复，有效降低了该超结MOSFET在反向恢复中的硬恢复，提高了超结MOSFET的软度因子，改善了超结MOSFET器件在使用中的EMI噪声。
主权项：1.一种具有软恢复的超结MOSFET，其特征在于，包括：N型衬底；形成于所述N型衬底上的第一P柱、N型漂移层以及第二P柱；其中，所述N型漂移层呈十字形结构，并且所述N型漂移层位于所述第一P柱与所述第二P柱之间；第一P型基区，形成于所述N型漂移层的第一水平部上；所述N型漂移层的第一水平部与所述第一P型基区之间的接触面呈锯齿状；第二P型基区，形成于所述N型漂移层的第二水平部上；所述N型漂移层的第二水平部与所述第二P型基区之间的接触面呈锯齿状；第一N型源区，形成于所述第一P型基区上；第二N型源区，形成于所述第二P型基区上；栅极介质层、栅极多晶硅层，所述栅极介质层形成于所述N型漂移层上，且所述栅极介质层包裹所述栅极多晶硅层；源极层，形成于所述栅极介质层、所述第一N型源区和所述第二N型源区上；漏极层，形成于所述N型衬底的背面。
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