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申请/专利权人：西安赛富乐斯半导体科技有限公司
摘要：本发明公开的Micro‑LED的晶圆键合结构及键合方法，包括通过共晶叠层金属组键合的第一晶圆和第二晶圆，共晶叠层金属组由多组薄层共晶金属对交替堆叠而成。本发明的Micro‑LED的晶圆键合结构及键合方法，通过将两种共晶层金属分为多组薄层交替堆叠结构，减小共晶金属间接触反应需要的扩散距离。从而在不增大键合温度与压力条件下缩短工艺时间，提高生产效率的同时获得良好均匀的键合效果。
主权项：1.Micro-LED的晶圆键合结构，其特征在于，包括通过共晶叠层金属组键合的第一晶圆和第二晶圆（9），共晶叠层金属组由多组薄层共晶金属对交替堆叠而成；第一晶圆包括衬底（1）和外延层（2），外延层（2）上依次沉积有欧姆接触层（3）、反射层（4）、黏附层（5）、阻挡层（6）、多组共晶金属对层和第一共晶金属层（7），每组共晶金属对层均包括靠近阻挡层（6）的第一共晶金属层（7）和远离阻挡层（6）的第二共晶金属层（8），第一共晶金属层（7）为Au，第二共晶金属层（8）为Sn或In；第二晶圆（9）上依次沉积有黏附层（5）、阻挡层（6）、多组共晶金属对层和第一共晶金属层（7），每组共晶金属对层均包括靠近阻挡层（6）的第一共晶金属层（7）和远离阻挡层（6）的第二共晶金属层（8），第一共晶金属层（7）为Au，第二共晶金属层（8）为Sn或In。
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权利要求：
百度查询： 西安赛富乐斯半导体科技有限公司 Micro-LED的晶圆键合结构及键合方法
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