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申请/专利权人：英特尔公司
摘要：本公开涉及晶体管层上的后侧互连图案化和前侧金属互连。本文描述的实施例可以涉及用于形成封装的设备、工艺、系统和或技术，该封装具有晶体管层，该晶体管层具有前侧金属互连层以及后侧金属接触部和互连层。具体而言，可以对后侧金属接触部和互连层进行图案化，之后在图案化层上形成晶体管层或其他装置层，并且之后在晶体管层上形成前侧金属互连层。可以描述其他实施例和或主张对其的保护。
主权项：1.一种设备，包括：第一层，所述第一层包括多个晶体管；所述第一层上方的第二层，所述第二层包括与所述多个晶体管的第一集合电耦接的第一多个接触部；所述第一层下方的第三层，所述第三层包括与所述多个晶体管的第二集合电耦接的第二多个接触部；并且其中，所述第二层中的所述第一多个接触部中的至少一个远离所述第一层而逐渐变细，并且其中，所述第三层中的所述第二多个接触部中的至少一个远离所述第一层而逐渐变细。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 英特尔公司 晶体管层上的后侧互连图案化和前侧金属互连
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