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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：一种接触孔图案的制备方法，包括：提供衬底，在衬底中定义目标区域和非目标区域；在衬底上形成图形层，对目标区域上的图形层执行图形化工艺，以在目标区域上形成目标图形；形成覆盖目标区域和非目标区域的牺牲介质层；执行掩膜工艺，暴露出目标区域的牺牲介质层；执行蚀刻工艺，去除目标图形和非目标区域的牺牲介质层。本发明的制备方法在简化接触孔制程工艺、提高产能的同时降低了制程机台使用成本。
主权项：1.一种接触孔图案的制备方法，其特征在于，提供衬底，在所述衬底中定义目标区域和非目标区域；在所述衬底上形成图形层，所述图形层包括第二介质层和设置在所述第二介质层上的第一介质层，对所述目标区域上的所述第一介质层和所述第二介质层执行图形化工艺，以在所述目标区域上形成目标图形，所述目标图形包括间隔排布的第一图形，所述第一图形包括堆叠设置的所述第一介质层和所述第二介质层；形成覆盖所述目标区域和所述非目标区域的牺牲介质层；在所述牺牲介质层上形成光刻胶层，对所述光刻胶层进行曝光处理后去除所述目标区域的所述光刻胶层，暴露出所述目标区域的所述牺牲介质层，所述非目标区域的所述光刻胶层被保留；执行第一蚀刻工艺去除所述目标区域的部分所述牺牲介质层，使得所述第一图形中的所述第一介质层的表面暴露，同时，所述非目标区域的所述光刻胶层也被去除，使得所述非目标区域的所述牺牲介质层被暴露；执行第二蚀刻工艺，其中，所述第二蚀刻工艺包括：通过执行第一子蚀刻工艺去除所述第一图形中的所述第一介质层和所述非目标区域的部分所述牺牲介质层；通过执行第二子蚀刻工艺去除所述非目标区域的剩余所述牺牲介质层，暴露出所述非目标区域的所述第一介质层；通过执行第三子蚀刻工艺去除所述第一图形中的所述第二介质层。
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