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申请/专利权人：西安交通大学;国网上海市电力公司
摘要：本发明公开了一种芯片上表面互连增强散热的单面碳化硅功率模块，包括高导热绝缘基板，碳化硅芯片的上表面通过高导热绝缘基板完成电气连接，在降低了电气寄生参数的同时，为单面散热的碳化硅功率模块提供了一条额外的散热路径，将芯片所产生的热量扩散至更大的面积，增大了向底板传递热量的有效面积，大幅提高碳化硅功率半导体芯片的散热能力，有效降低碳化硅芯片的最高温度与温度波动。
主权项：1.一种芯片上表面互连增强散热的单面碳化硅功率模块，其特征在于，包括底部功率衬底300，底部功率衬底300的上表面设置有碳化硅功率半导体芯片200、功率端子410、驱动端子420和测量端子430，碳化硅功率半导体芯片200通过高导热绝缘基板100与底部功率衬底300上表面的导电金属区域连接；底部功率衬底300下表面的金属区域通过金属底板和散热器连接。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安交通大学 国网上海市电力公司 一种芯片上表面互连增强散热的单面碳化硅功率模块
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