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申请/专利权人：北京理工大学
摘要：本发明涉及电子封装技术领域，提供一种铜银基固溶体复合凸点的互连方法及互连结构，该互连方法包括：步骤S1，将铜凸点芯片进行清洗并烘干；步骤S2，利用磁控溅射设备向铜凸点芯片的表面溅射银基固溶体薄膜，得到铜银基固溶体复合凸点芯片；步骤S3，将步骤S2得到的铜银基固溶体复合凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S4，对另一铜凸点芯片执行步骤S1至S3，得到另一铜银基固溶体复合凸点芯片；然后将两个铜银基固溶体复合凸点芯片的铜银基固溶体复合凸点进行热压键合处理，完成两个铜银基固溶体复合凸点芯片的互连。用该互连方法得到的互连结构，凸点表面的塑性变形能力强，保证了封装质量，降低了芯片的损伤程度。
主权项：1.一种铜银基固溶体复合凸点的互连方法，其特征在于，包括步骤：步骤S1，将铜凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S2，利用磁控溅射设备向铜凸点的表面溅射银基固溶体薄膜，得到铜银基固溶体复合凸点芯片；步骤S3，将步骤S2得到的所述铜银基固溶体复合凸点芯片进行清洗并烘干处理；步骤S4，对另一铜凸点芯片执行步骤S1至S3，得到另一铜银基固溶体复合凸点芯片，然后将两个所述铜银基固溶体复合凸点芯片的铜银基固溶体复合凸点进行热压键合处理，完成两个所述铜银基固溶体复合凸点芯片的互连。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京理工大学 一种铜/银基固溶体复合凸点的互连方法及互连结构
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