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申请/专利权人：江苏新顺微电子股份有限公司
摘要：本发明公开了一种高压快恢复二极管结构及其制作方法，在半导体硅片N++衬底层上为低掺杂浓度的N‑外延层，所述N‑外延层上为高浓度的P+源区以及场限环和高浓度的N+截止环，在所述N‑外延层，所述P+源区，所述场限环和所述N+截止环之上是氧化层，在所述氧化层上设置对应于场限环的递增渐变式薄层浮空多晶场板，同时形成了平坦终端区域，在所述P+源区上设置正面金属，在所述正面金属，所述多晶场板，所述氧化层和所述N+截止环上设置三层钝化层，依次为UDO钝化层、氮化硅钝化层与聚酰亚胺胶钝化层。本发明提升了1000V以上高压快恢复二极管使用可靠性，保证产品在工规、车规要求下能够稳定可靠性工作，以应对工况严苛的应用市场。
主权项：1.一种高压快恢复二极管结构，其特征在于，在半导体硅片N++衬底层上为低掺杂浓度的N-外延层，所述N-外延层上为高浓度的P+源区以及场限环和高浓度的N+截止环，在所述N-外延层，所述P+源区，所述场限环和所述N+截止环之上是氧化层，在所述氧化层上设置对应于场限环的递增渐变式薄层浮空多晶场板，同时形成了平坦终端区域，在所述P+源区上设置正面金属，在所述正面金属，所述多晶场板，所述氧化层和所述N+截止环上设置三层钝化层，依次为UDO钝化层、氮化硅钝化层与聚酰亚胺胶钝化层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 江苏新顺微电子股份有限公司 一种高压快恢复二极管结构及其制作方法
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