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申请/专利权人：苏州固锝电子股份有限公司
摘要：本发明公开了二极管大尺寸多芯片叠加工艺结构及其制备方法，所述制备方法包括产品结构设计、产品内部结构优化、多芯片叠加工艺结构焊接、环氧密封；所述二极管大尺寸多芯片叠加工艺结构包括从下到上依次设置的底层芯片、中间层芯片、上层芯片。本发明通过对现有瞬态电压抑制二极管TVS类产品在进行多层芯片堆叠生产时中存在的容易使芯片造成破损而导致电性能失效的问题的深入研究，而创新研发设计了二极管大尺寸多芯片叠加工艺结构及其制备方法，确保芯片产品的稳定性，从而提高产品良率、生产效率。
主权项：1.一种二极管大尺寸多芯片叠加工艺结构的制备方法，其特征在于，所述制备方法包括：S100、产品结构设计，根据多芯片叠加后的多种结构、材质进行模拟内应力分析，其中上层芯片和底层芯片的应力值最大，选择底层芯片的底部对接部面积尺寸小于中间层芯片和上层芯片的叠加工艺结构；S200、产品内部结构优化，对底部对接部的厚度尺寸和长宽尺寸进行优化，选取多个尺寸组合进行内部结构关键尺寸优化分析，选择对整体叠加工艺结构应力最低的组合作为最优组合，并在连接片上设置有通孔；S300、多芯片叠加工艺结构焊接，多芯片叠加工艺结构焊接的步骤包含有：S310、选择具有多个治具单元的焊接定位治具，其中治具单元上开设芯片放置槽、连接尾部限位槽，芯片放置槽从下倒上以此设置底层空间、中层空间，底层空间对应底层芯片的尺寸设置，中层空间的尺寸对应中间层芯片和上层芯片的尺寸设置；S320、放置多芯片叠加工艺结构，将底层芯片对应的组件及焊接片放入到芯片放置槽的底层空间内，按顺序将中间层芯片和上层芯片的组件及焊接片放入到芯片放置槽的中层空间内，再在上层芯片上放置焊接片及连接片，连接片的尾部放入连接尾部限位槽中进行限位；S330、焊接多芯片叠加工艺结构，将定位好的多芯片叠加工艺结构连同焊接定位治具一起放入回炉焊中进行预焊接，再将预焊接完成的多层芯片焊接到框架上；S400、环氧密封，将焊接好的多芯片叠加工艺结构进行环氧密封，其中环氧树脂填满连接片上的通孔并全部包裹框架之上多芯片叠加工艺结构的部分。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州固锝电子股份有限公司 二极管大尺寸多芯片叠加工艺结构及其制备方法
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