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申请/专利权人：上海华力微电子有限公司
摘要：本发明公开了一种构建有双极晶体管的ESD保护结构及其制造方法，属于半导体技术领域，该构建有双极晶体管的ESD保护结构，包括衬底、PMOS管和NMOS管，PMOS管包括N阱和第二P阱，N阱布置在衬底中，第二P阱布置在N阱中，NMOS管包括P阱、第二N阱和第二栅极，N阱布置有第二P阱的一侧与P阱的一侧相接，第二N阱布置在第二P阱的右侧，第二N阱的右侧设置有第二栅极，第二P阱、第二N阱和第二栅极通过第二金属互连线相连，PMOS管用于接入待泄放电流，NMOS管用于接出待泄放电流。通过在PMOS管的源极区和NMOS管的漏极区和第二栅极之间构建通道，插入额外的表面N‑P‑N双极晶体管多路径来转移进入的待泄放电流，提高保持电压。
主权项：1.一种构建有双极晶体管的ESD保护结构，其特征在于，包括衬底、PMOS管和NMOS管，所述PMOS管包括N阱和第二P阱，所述N阱布置在所述衬底中，所述第二P阱布置在所述N阱中，用于作为所述PMOS管的源极区；所述NMOS管包括P阱、第二N阱和第二栅极，所述N阱布置有所述第二P阱的一侧与所述P阱的一侧相接，所述第二N阱布置在所述第二P阱的右侧，用于作为所述NMOS管的漏极区，所述第二N阱的右侧设置有所述第二栅极，其中，所述第二P阱、第二N阱和第二栅极通过第二金属互连线相连，所述PMOS管用于接入待泄放电流，所述NMOS管用于接出待泄放电流。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华力微电子有限公司 构建有双极晶体管的ESD保护结构及其制造方法
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