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申请/专利权人：长鑫存储技术有限公司
摘要：本发明提供一种浅沟槽隔离结构及其制备方法，方法包括：1）提供衬底，于衬底上依次形成叠置的垫氧化层和刻蚀阻挡层；2）于刻蚀阻挡层和垫氧化层内形成开口，并依据开口于衬底内形成第一沟槽；3）进行氮离子注入以于第一沟槽的侧壁和底部形成氮化硅层；4）去除第一沟槽底部的氮化硅层；5）形成第二沟槽；6）于第二沟槽的侧壁和底部形成衬底氧化层；7）于第二沟槽内填充多孔二氧化硅层；8）于多孔二氧化硅层的顶部形成致密氧化物层；9）去除刻蚀阻挡层和垫氧化层。采用本发明制备出的浅沟槽隔离结构，不仅能够起到良好的隔离效果，且介电常数极大降低，有效减小寄生电流，降低寄生电容，提升器件性能。
主权项：1.一种浅沟槽隔离结构的制备方法，其特征在于，包括步骤：1提供衬底，于所述衬底上依次形成叠置的垫氧化层和刻蚀阻挡层；2于所述刻蚀阻挡层和所述垫氧化层内形成开口，并依据所述开口于所述衬底内形成第一沟槽；3对所述第一沟槽的侧壁和底部进行氮离子注入以于所述第一沟槽的侧壁和底部形成氮化硅层；4去除所述第一沟槽底部的所述氮化硅层以暴露出所述衬底；5于对应所述第一沟槽底部的所述衬底内形成第二沟槽，所述第二沟槽与所述第一沟槽相连通；6于所述第二沟槽的侧壁和底部形成衬底氧化层；7于所述第二沟槽内填充多孔二氧化硅层；8于所述多孔二氧化硅层的顶部形成致密氧化物层，所述致密氧化物层填满所述第一沟槽及所述开口；9去除所述刻蚀阻挡层和所述垫氧化层。
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权利要求：
百度查询： 长鑫存储技术有限公司 浅沟槽隔离结构及其制备方法
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