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申请/专利权人：台湾积体电路制造股份有限公司
摘要：在一些实施例中，本发明涉及一种晶体管器件。该晶体管器件包括设置在衬底上方的源极接触件。源极接触件具有设置在第一端部和相对的第二端部之间第一侧和相对的第二侧。漏极接触件设置在衬底上方，并且沿着第一方向与源极接触件分隔开。栅极结构设置在源极接触件和漏极接触件之间的衬底上方。栅极结构沿着源极接触件的面向漏极接触件的第一侧延伸，并且还包裹源极接触件的第一端部和相对的第二端部。本发明的实施例还涉及晶体管器件的形成方法、集成芯片。
主权项：1.一种晶体管器件，包括：第一源极接触件，设置在衬底上方，所述第一源极接触件具有设置在第一端部和相对的第二端部之间的第一侧和相对的第二侧；第一漏极接触件，设置在所述衬底上方并且沿着第一方向与所述第一源极接触件分隔开；第一栅极结构，设置在所述第一源极接触件和所述第一漏极接触件之间的所述衬底上方，其中，所述第一栅极结构沿着所述第一源极接触件的面向所述第一漏极接触件的所述第一侧延伸，并且还包裹所述第一源极接触件的所述第一端部和所述相对的第二端部；以及隔离区域，设置在所述衬底内并且以闭合且不间断的路径包裹有源区，其中，在顶视图中，所述隔离区域的最外侧壁进一步将所述第一栅极结构包裹在其中，并且所述第一漏极接触件的一部分设置在所述隔离区域正上方；第二栅极结构，围绕第二源极接触件并且沿着所述第一方向通过所述第一漏极接触件与所述第一栅极结构分隔开；以及第三栅极结构，围绕第三源极接触件并且沿着所述第一方向通过第二漏极接触件与所述第二栅极结构分隔开，其中，所述第三栅极结构具有侧壁，所述侧壁限定沿着所述第三源极接触件的面向远离所述第二源极接触件的一侧设置的开口。
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权利要求：
百度查询： 台湾积体电路制造股份有限公司 晶体管器件及其形成方法、集成芯片
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