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申请/专利权人:台湾积体电路制造股份有限公司
摘要:本申请公开了互补晶体管的调谐功函数。一种方法,包括:基于半导体区域的第一部分来形成源极漏极区域;基于半导体区域的第二部分来形成界面层;在界面层上形成偶极子膜;在偶极子膜上沉积高k电介质层;以及在高k电介质层上沉积功函数层。
主权项:1.一种用于形成半导体器件的方法,包括:基于第一半导体区域的第一部分来形成第一源极漏极区域;基于所述第一半导体区域的第二部分来形成第一界面层;在所述第一界面层上形成第一偶极子膜;在所述第一偶极子膜上沉积第一高k电介质层;以及在所述第一高k电介质层上沉积第一功函数层。
全文数据:
权利要求:
百度查询: 台湾积体电路制造股份有限公司 互补晶体管的调谐功函数
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