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申请/专利权人：派德芯能半导体(上海)有限公司
摘要：本发明公开了一种IGBT器件及制备方法，该IGBT器件包括衬底和在衬底上的依次形成的第一导电类型漂移区和第二导电类型体区，以及贯穿第二导电类型体区并伸入第一导电类型漂移区的栅极沟槽，栅极沟槽顶端的外侧形成有第一导电类型源区，栅极沟槽的侧壁和底部均覆盖有氧化层且底部氧化层的厚度大于侧壁氧化层的厚度，氧化层所形成的腔室内填充有多晶硅。根据本发明的IGBT器件及制备方法，通过增厚沟槽底部的氧化层，降低了米勒电容，从而提高开关速度、降低开关损耗。并且还改善了沟槽底部电场集中现象，提高器件耐压能力。
主权项：1.一种IGBT器件，其特征在于，包括衬底和在衬底上的依次形成的第一导电类型漂移区和第二导电类型体区，所述IGBT器件还包括贯穿第二导电类型体区并伸入第一导电类型漂移区的栅极沟槽，所述栅极沟槽顶端的外侧形成有第一导电类型源区，所述栅极沟槽的侧壁和底部均覆盖有氧化层且底部氧化层的厚度大于侧壁氧化层的厚度，所述氧化层所形成的腔室内填充有多晶硅。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 派德芯能半导体(上海)有限公司 IGBT器件及制备方法
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