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申请/专利权人：株式会社日立制作所
摘要：本发明的技术问题是实现具有滤波电容器的功率半导体装置的布线低电感的同时实现小型化。本发明的功率半导体装置包括：功率半导体电路部、多个滤波电容器、正极导体部和负极导体部、以及密封材料，多个所述滤波电容器构成夹在所述正极导体部和所述负极导体部之间的电容器电路部，所述功率半导体电路部具有从所述密封材料露出的第一露出面和从所述密封材料露出并设置在该第一露出面的相反侧的第二露出面，将与所述第一露出面重合的平面定义为第一平面，将与所述第二露出面重合的平面定义为第二平面，所述电容器电路部形成为容纳在所述第一平面和所述第二平面之间的空间中，所述正极导体部或所述负极导体部形成有用于容纳多个所述滤波电容器的一部分的凹部。
主权项：1.一种功率半导体装置，其特征在于，包括：功率半导体电路部；多个滤波电容器；对所述功率半导体电路部和多个所述滤波电容器进行连接的正极导体部和负极导体部；以及对所述功率半导体电路部、多个所述滤波电容器、所述正极导体部和负极导体部进行密封的密封材料，多个所述滤波电容器构成夹在所述正极导体部和所述负极导体部之间的电容器电路部，所述功率半导体电路部具有从所述密封材料露出的第一露出面、以及从所述密封材料露出并设置在该第一露出面的相反侧的第二露出面，将与所述第一露出面重合的平面定义为第一平面，将与所述第二露出面重合的平面定义为第二平面，所述电容器电路部形成为容纳在所述第一平面和所述第二平面之间的空间中，所述正极导体部或所述负极导体部形成有用于容纳多个所述滤波电容器的一部分的凹部，所述电容器电路部形成为小于所述第一平面和所述第二平面之间的空间，并且所述电容器电路部形成在构成所述功率半导体电路部的多个半导体元件之间的区域以外的区域。
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