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申请/专利权人：无锡邑文微电子科技股份有限公司;江苏邑文微电子科技有限公司
摘要：本发明公开了一种半导体刻蚀设备和半导体刻蚀方法，属于半导体制造技术领域。半导体刻蚀设备包括：反应腔室；静电卡盘，设置于反应腔室中，用于承载晶圆；静电卡盘包括至少两个温控区域，至少两个温控区域包括中心区域和至少一个环形区域，中心区域和环形区域的轴心均与静电卡盘的轴心重叠；测温装置，包括至少两个测温器件，分别对应各温控区域设置；测温器件用于检测温控区域的温度；冷却装置，包括至少两个冷却单元，分别对应各温控区域设置；冷却单元通过控制传输至温控区域和晶圆之间的氦气的流量来控制晶圆对应温控区域的部位的温度。本发明实施例可以针对静电卡盘的不同温控区域分别进行温度控制，从而提升晶圆刻蚀效果。
主权项：1.一种半导体刻蚀设备，其特征在于，包括：反应腔室；静电卡盘，设置于所述反应腔室中，用于承载晶圆；所述静电卡盘包括至少两个温控区域；其中，所述至少两个温控区域包括中心区域和至少一个环形区域，所述中心区域的轴心和所述环形区域的轴心均与所述静电卡盘的轴心重叠；测温装置，包括至少两个测温器件，分别对应各温控区域设置；所述测温器件用于检测所述温控区域的温度；冷却装置，包括至少两个冷却单元，分别对应各温控区域设置；所述冷却单元通过控制传输至所述温控区域和所述晶圆之间的氦气的流量来控制晶圆对应所述温控区域的部位的温度；所述静电卡盘包括顶面和底面，所述静电卡盘的顶面用于承载所述晶圆；针对任一所述温控区域，所述静电卡盘的底面设置有一个进气孔，所述静电卡盘的顶面设置有至少一个出气孔；同一所述温控区域中的所述进气孔和各所述出气孔之间通过设置于所述静电卡盘内部的气道连通；所述冷却单元包括：压力控制器，所述压力控制器的出气端通过第一管路连接所述冷却单元对应的所述温控区域中的进气孔，所述压力控制器用于控制所述压力控制器输出的氦气的流量；第一阀门，设置于所述第一管路上，用于控制所述第一管路是否导通。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 无锡邑文微电子科技股份有限公司 江苏邑文微电子科技有限公司 半导体刻蚀设备和半导体刻蚀方法
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