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申请/专利权人：上海芯导电子科技股份有限公司
摘要：一种T型沟槽栅碳化硅MOSFET器件结构，该器件结构的第一沟槽和第二沟槽构成了T型沟槽，沟槽底部长度减少，对应减少了栅极承压范围，提高了栅极可靠性，位于第一沟槽底部的阱区内的第一掺杂区替代了电流拓展层，改善整体P型和N型注入浓度和能量的调控范围，位于所述第二沟槽底部的漂移区内的第二掺杂区相当于屏蔽层，该屏蔽层的宽度较小，在器件关闭状态下，该第二掺杂区可以和衬底进行耗尽，减小了沟槽栅底部耐压，平衡了电场分布，减少了导通电阻。
主权项：1.一种T型沟槽栅碳化硅MOSFET器件结构，其特征在于，包括：衬底，所述衬底内具有漂移区以及位于漂移区上的阱区，所述漂移区的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相反；位于所述阱区内的第一沟槽；位于所述第一沟槽底部的阱区内的第一掺杂区，所述第一掺杂区的掺杂类型与所述阱区的掺杂类型相反；与所述第一沟槽底部连通的第二沟槽，所述第二沟槽贯穿所述第一掺杂区并延伸入所述漂移区；位于所述第二沟槽底部的漂移区内的第二掺杂区，所述第二掺杂区的掺杂类型与所述漂移区的掺杂类型相反；位于所述第一沟槽和第二沟槽内的栅极结构。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海芯导电子科技股份有限公司 一种T型沟槽栅碳化硅MOSFET器件结构及其制备方法
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