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申请/专利权人：中国科学院微电子研究所
摘要：本发明公开了一种叠层环栅的沟道结构及其制备方法，属于半导体工艺技术领域，能够提供集成度更高、栅控更好的器件。本发明的沟道结构包括硅衬底、沟道层以及多层硅层和多层支撑层，多层硅层依次层叠在硅衬底上，支撑层设于硅衬底与硅层之间和相邻两层硅层之间，沟道层设于硅层的表面，沟道层为WS2层。本发明的制备方法包括如下步骤：提供一硅衬底；在硅衬底上形成硅层和支撑层；在硅层的表面形成沟道层。本发明的沟道结构及其制备方法可用于GAAFET器件。
主权项：1.一种叠层环栅的沟道结构，其特征在于，包括硅衬底、沟道层以及多层硅层和多层支撑层，多层硅层依次层叠在硅衬底上，支撑层设于硅衬底与硅层之间和相邻两层硅层之间，通过支撑层将多层硅层分隔开来，形成部分悬空的硅层；所述沟道层设于硅层的表面，所述硅层的表面包括支撑层接触面和非支撑层接触面，所述硅层的非支撑层接触面上设有沟道层；所述沟道层为WS2层；所述支撑层为SiGe层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院微电子研究所 一种叠层环栅的沟道结构及其制备方法
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