龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：华南理工大学
摘要：本发明属于半导体器件领域，公开了一种增强型AlNAlGaNGaNHEMT器件及其制备方法。所述器件包括衬底、GaN沟道层、AlGaN超薄势垒层、非晶SiO2层、单晶AlN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极。本发明的增强型器件是在GaN和超薄AlGaN异质结的基础上，在栅下区域插入非晶SiO2层后，在异质结上外延单晶AlN层。栅下非晶SiO2层能够隔离强极性单晶AlN层对AlGaN超薄势垒层的极化增强效应，耗尽栅下二维电子气，使器件关断，实现增强型器件。同时栅下的非晶SiO2和单晶AlN可作为栅下介质层，有利于降低栅泄漏电流，提高器件击穿电压。
主权项：1.一种增强型AlNAlGaNGaNHEMT器件，其特征在于：所述器件包括：衬底、GaN沟道层、AlGaN超薄势垒层、非晶SiO2层、单晶AlN层、漏金属电极、源金属电极和栅金属电极，其中：所述衬底、GaN沟道层和AlGaN超薄势垒层由下至上依次层叠；所述非晶SiO2层覆盖在AlGaN超薄势垒层上表面的部分区域；所述漏金属电极和源金属电极分别位于AlGaN超薄势垒层上表面未被非晶SiO2层覆盖的两侧区域，漏金属电极和源金属电极与AlGaN超薄势垒层之间形成欧姆接触；所述单晶AlN层覆盖在AlGaN超薄势垒层上表面未被源漏金属电极覆盖的区域，并覆盖非晶SiO2层；所述栅金属电极位于非晶SiO2层上方单晶AlN层的上表面；所述非晶SiO2层的厚度为5~15nm；所述单晶AlN层的厚度为15~25nm；所述AlGaN超薄势垒层的厚度为5~7nm。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 华南理工大学 一种增强型AlN/AlGaN/GaN HEMT器件及其制备方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号