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申请/专利权人：东南大学
摘要：本发明公开了一种基于表面等离激元的AlGaNGaN异质结的pin紫外光电探测器，包括：由下自上依次设置的衬底、AlN缓冲层、n型掺杂GaN层、非掺杂GaN层、组分渐变p型掺杂AlxGa1‑xN层、p型掺杂AlyGa1‑yN层、p型掺杂GaN层，在非掺杂GaN层中纵向制作的具有二维周期性的纳米孔阵列，沉积在p型掺杂层与纳米孔阵列之上的等离激元金属层、n型欧姆电极、p型欧姆电极。本发明能够有效地增加光生载流子的数量，增加i层耗尽区宽度，有助于提高紫外光电探测器的光电转换效率和响应度。
主权项：1.一种基于表面等离激元的AlGaNGaN异质结的pin紫外光电探测器，其特征在于，包括：由下自上依次设置的衬底101、AlN缓冲层102、n型掺杂GaN层103、非掺杂GaN层104、组分渐变p型掺杂AlxGa1-xN层105、p型掺杂AlyGa1-yN层106、p型掺杂GaN层107，在非掺杂GaN层104中纵向制作的具有二维周期性的纳米孔阵列1041，沉积在p型掺杂层107与纳米孔阵列1041之上的等离激元金属层108、n型欧姆电极109、p型欧姆电极110。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 东南大学 一种基于表面等离激元的AlGaN/GaN异质结的pin紫外光电探测器
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