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申请/专利权人：中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
摘要：本发明涉及半导体技术领域。本发明提供了一种自动结温调控的AlGaN深紫外LED器件及其制备方法。本发明提供的AlGaN深紫外LED器件，其结区原位制备了具有温度敏感特性的电阻材料，即温敏材料层，其电阻随结温将实时发生变化，在与MOSFET栅极串联后，即可通过LED温度调控MOSFET导通电流，又因为MOSFET与LED串联，因而可调控LED工作电流，防止LED长期电流过大、温度过高，获得更高效、更长使用寿命，适合大功率、长期开启、无人监控的工作环境。
主权项：1.一种自动结温调控的AlGaN深紫外LED器件，其特征在于，包括依次层叠设置的衬底、模板层、AlGaN层、n型AlGaN层；所述n型AlGaN层表面两侧设有n型电极；所述n型AlGaN层表面位于n型电极外侧还设有漏极和源极；所述n型AlGaN层位于漏极和n型电极之间的表面设有第一沟道，所述第一沟道延伸至衬底表面；所述n型AlGaN层位于漏极和源极之间的表面设有第二沟道；所述第一沟道、第二沟道内均设有第一绝缘层，所述第一沟道内的第一绝缘层向上延伸并覆盖部分漏极和n型电极表面；所述第一沟道内的第一绝缘层表面设有连接电极，所述连接电极向上延伸且两端分别与漏极和n型电极连接；所述第二沟道内的第一绝缘层向上延伸并覆盖部分漏极和源极；所述第二沟道内的第一绝缘层上设有栅极；所述n型AlGaN层位于n型电极之间的表面依次层叠设有电子减速层、多量子阱层、电子阻挡层、空穴注入层、电极接触层、p型电极；第二绝缘层覆盖所述栅极和连接电极的表面以及电子减速层、多量子阱层、电子阻挡层、空穴注入层、电极接触层的侧面以及p型电极的表面；所述第二绝缘层表面对应所述栅极处设有第一孔洞，所述第二绝缘层上设有温敏材料层，所述温敏材料层延伸至第一孔洞内并与栅极连接；所述温敏材料层表面对应p型电极处设有第二孔洞，所述第二孔洞延伸至p型电极表面；所述温敏材料层表面位于第二孔洞一侧设有测试电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国科学院长春光学精密机械与物理研究所 一种自动结温调控的AlGaN深紫外LED器件及其制备方法
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