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一种GaN器件开关速度的评估方法及系统 

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申请/专利权人:芯梦达半导体科技(济南)有限公司

摘要:本发明属于功率器件开关速度测量技术领域,具体公开了一种GaN器件开关速度的评估方法及系统,方法包括:搭建GaN十六参数小信号模型,计算得到GaN十六参数小信号模型中的各个参数值;构建Angelov模型,基于GaN器件的转移特性曲线、输出特性曲线以及GaN十六参数小信号模型中的各个参数值,拟合得到Angelov模型中各参数的值;将Angelov模型输入到SDD模型,得到GaN器件大信号模型;搭建开关电路模型,将GaN器件大信号模型作为开关电路中的开关管;获取所述开关电路的输出波形,基于所述输出波形评估GaN器件的开关速度。本发明可以在搭建的开关电路中仿真得到该GaN器件的开关速度,简便易操作且成本低。

主权项:1.一种GaN器件开关速度的评估方法,其特征在于,包括:分别测量得到GaN器件的转移特性曲线、输出特性曲线以及GaN器件在不同工作电压和频率下的S参数;搭建GaN十六参数小信号模型,基于GaN器件在不同工作电压和频率下的S参数,计算得到GaN十六参数小信号模型中的各个参数值;构建Angelov模型,基于GaN器件的转移特性曲线、输出特性曲线以及GaN十六参数小信号模型中的各个参数值,拟合得到Angelov模型中各参数的值;搭建SDD模型,将Angelov模型输入到SDD模型,得到GaN器件大信号模型;搭建开关电路模型,将GaN器件大信号模型作为开关电路中的开关管;获取所述开关电路的输出波形,基于所述输出波形评估GaN器件的开关速度。

全文数据:

权利要求:

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