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申请/专利权人：苏州紫灿科技有限公司
摘要：本发明通过提供一种AlN本征层及其制备方法，该制备方法包括：首先在一衬底上外延生长第一AlN层，其次，分别对衬底以及第一AlN层进行图形化处理，使衬底形成多个凹部，并使第一AlN层在衬底上的正投影位于凹部之外，再次，在衬底上外延生长合并层，合并层完全覆盖第一AlN层，且合并层与衬底之间具有多个空心区域，最后，在合并层上外延生长第二AlN层；上述制备方法通过在合并层与衬底之间形成多个不具备外延结构的空心区域，用于释放AlN材料薄膜在生长过程中积累的应力，使AlN材料生长过程中的位错弯曲而湮灭，从而减少了后续生长的第二AlN层的位错密度，进而提高了第二AlN层的晶体质量。
主权项：1.一种AlN本征层的制备方法，其特征在于，包括：S10，在一衬底上外延生长第一AlN层；S20，分别对所述衬底以及所述第一AlN层进行图形化处理，使所述衬底形成多个凹部，并使所述第一AlN层在所述衬底上的正投影位于所述凹部之外；S30，在所述衬底上外延生长合并层，所述合并层完全覆盖所述第一AlN层以及所述凹部，所述合并层与所述衬底之间具有多个空心区域；S40，在所述合并层上外延生长第二AlN层。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 苏州紫灿科技有限公司 一种AlN本征层及其制备方法
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