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申请/专利权人：哈尔滨理工大学
摘要：一种热压烧结Ag粉制备覆银AlN陶瓷基板的方法，涉及一种制备覆银AlN陶瓷基板的方法。本发明是要解决现有的AlN陶瓷表面金属化时的工艺复杂，成本较高的技术问题。本发明通过将纯Ag粉压制成Ag片，再在Ag片上垫一层保护层，然后直接在空气环境下将Ag片热压烧结在AlN陶瓷上，在空气中Ag与AlN陶瓷之间会发生反应生成一层氧化物，增强Ag与AlN之间的连接强度，达到在陶瓷表面使用Ag进行金属化的目的。本发明获得的覆银AlN陶瓷基板具有热导率高、电阻率低、力学性能好、工艺简单和成本低等优点，可以满足工业化大批量制作与使用的要求，可以广泛应用于第三代半导体电子封装。
主权项：1.一种热压烧结Ag粉制备覆银AlN陶瓷基板的方法，其特征在于热压烧结Ag粉制备覆银AlN陶瓷基板的方法是按以下步骤进行的：一、制备Ag片：将Ag粉均匀倒入压片模具中，再将压片模具放入液压压片机中，在3MPa～5MPa的压力下将Ag粉压制成厚度为100μm～300μm的Ag片；二、热压烧结：将AlN陶瓷片的表面进行清理，然后用无水乙醇超声清洗3min～5min，再自然晾干；将步骤一制备的Ag片放置在AlN陶瓷和保护层之间，AlN陶瓷在最下方，保护层在最上方，整体放置在热压烧结炉内，施加1Mpa～3Mpa的压力，然后在空气气氛下以5℃min～15℃min的升温速率从室温升至800℃～950℃并保温20min～60min；然后去除保护层，即完成覆银AlN陶瓷基板的制备。
全文数据：
权利要求：
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