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申请/专利权人：南通正海磁材有限公司;烟台正海磁性材料股份有限公司
摘要：一种高矫顽力的R‑T‑B永磁体及其制备方法和应用。本发明的R‑T‑B永磁体的制备方法包括：（1）制备得到复合磁粉：将包材颗粒包覆在母材粉末颗粒的表面得到所述复合磁粉；（2）将步骤（1）中的复合磁粉分别经过压型处理、热处理，任选的进行扩散处理，制备得到所述R‑T‑B永磁体。本发明通过在母材粉末颗粒表层均匀包覆低熔点晶界合金，有效的降低了晶界相熔点，降低了永磁体烧结温度，大幅降低了永磁体生产成本；同时可以使磁体内主相被晶界相均匀包裹，有效隔绝主相晶粒间的磁交换耦合作用，降低晶界缺陷，从而显著提升永磁体的矫顽力。
主权项：1.一种R-T-B永磁体，其特征在于，所述R-T-B永磁体至少包括晶界相和主相晶粒；所述晶界相呈团块状或厚度均匀连续的薄带状分布在任意两个或多个所述主相晶粒交界处或之间；所述主相晶粒具有R-T-B型相结构；所述主相晶粒呈近圆状；所述主相晶粒的长径比在1:1-1:1.2之间；所述晶界相中，团块状的晶界相的体积占比为≤80%；薄带状的晶界相的体积占比为≥20%；团块状的晶界相是指延任意方向投影的最大尺寸大于100nm的晶界；薄带状的晶界相是指存在延任意方向投影的最大尺寸小于100nm的晶界。
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