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申请/专利权人：浙江芯科半导体有限公司
摘要：本发明涉及离子注入机领域，具体公开了一种提高铝离子源ALN寿命和稳定性的离子注入机设计结构；本发明通过在阴极帽与ALN之间设置金属ALN内衬，让阴极与ALN之间有热屏蔽，进而避免ALN温度过快升高，避免ALN起皮，增加阴极帽端面厚度，避免阴极帽端面因为快速损耗而被击穿，提升阴极帽使用寿命，取消给反射极加外部电位，使得反射极形成自由电位状态，反射极获得电位由阴极发射到反射极电子量决定，具备一定电容特性，使电场更容易稳定，将ALN端部突出阴极帽端面形成ALN凸起，使得ALN匹配阴极帽端面出力最大特点，进一步稳定电场。
主权项：1.一种提高铝离子源ALN寿命和稳定性的离子注入机设计结构，其特征在于，包括：外壳1，所述外壳1内壁一侧固定连接有阴极帽2，所述阴极帽2内部固定连接有灯丝3，所述阴极帽2远离灯丝3的一侧设置有阴极帽端面4；ALN5，所述ALN5固定安装在外壳1内部，并套设在阴极帽2外部；反射极6，所述反射极6设置在外壳1内壁，且所述反射极6与ALN5相对设置。
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权利要求：
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