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申请/专利权人：上海华虹宏力半导体制造有限公司
摘要：本发明提供了一种新型的闪存单元结构版图，其包括边缘区和阵列区，其中，所述边缘区包括：浮栅版图层和金属插塞版图层，浮栅版图层包括多条沿列方向平行排列的浮栅图案，且在每一所述浮栅图案的两侧分布设置有一凸出部；金属插塞版图层包括多个金属插塞图案，且一金属插塞图案位于一所述凸出部上，阵列区则还包括有源版图层，所述有源版图层包括多条沿行方向平行排列的有源区图案；由于通过在浮栅版图层中的每一行的浮栅图案均设置两个按奇偶行交错排布的凸出部，然后在该凸出部上对应形成用于连接控制栅的金属插塞图案，即缩小闪存单元结构版图的面积，缩小了利用该版图所形成的闪存单元结构的面积，并节省了一道光罩节约产品制造成本。
主权项：1.一种闪存单元结构版图，包括边缘区，其特征在于，所述边缘区包括：浮栅版图层，包括多条沿列方向平行排列的浮栅图案，且在每一所述浮栅图案的两侧分别设置有一凸出部；以及，金属插塞版图层，包括多个金属插塞图案，且一所述金属插塞图案位于一所述凸出部上。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 上海华虹宏力半导体制造有限公司 一种闪存单元结构版图、闪存单元结构及其制造方法
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