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申请/专利权人:苏州元脑智能科技有限公司
摘要:本发明提供一种非易失闪存保护方法、装置、系统、服务器及介质,涉及计算机技术领域,通过识别非易失闪存中的频繁读写分区,设备启动时将所述频繁读写分区映射到内存中,以使对所述频繁读写分区的读写操作转为对内存的读写操作;响应于同步触发事件,将所述内存中数据同步到所述非易失闪存中,由于直接去读写内存比直接读写FLASH效率高,因此提高了对FLASH数据的读写效率,并且,只有在同步触发事件发生时,才进行FLASH的写操作,降低了FLASH的擦写频率,延长了Flash的使用寿命。
主权项:1.一种非易失闪存保护方法,其特征在于,包括:识别非易失闪存中的频繁读写分区,设备启动时将所述频繁读写分区映射到内存中,以使对所述频繁读写分区的读写操作转为对内存的读写操作;响应于同步触发事件,将所述内存中数据同步到所述非易失闪存中。
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百度查询: 苏州元脑智能科技有限公司 非易失闪存保护方法、装置、电子设备及存储介质
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