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申请/专利权人：泰科天润半导体科技(北京)有限公司
摘要：本实用新型提供了一种交叉式平面栅碳化硅VDMOSFET，碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层上设有基区，所述基区上设有源区；至少一块栅隔离层，每块所述栅隔离层底部连接至所述漂移层；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区，所述源极金属层上设有至少一个穿孔，所述栅隔离层设于所述穿孔内；至少一块栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅隔离层；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面，可以降低在器件未导通时的损耗；并且栅极金属层和源极金属层相互交叉，可以增加器件的栅控能力。
主权项：1.一种交叉式平面栅碳化硅VDMOSFET，其特征在于，包括：碳化硅衬底，漂移层，所述漂移层设于所述碳化硅衬底的上侧面，所述漂移层上设有基区，所述基区上设有源区；至少一块栅隔离层，每块所述栅隔离层底部连接至所述漂移层；源极金属层，所述源极金属层连接至所述源区，所述源极金属层上设有至少一个穿孔，所述栅隔离层设于所述穿孔内；至少一块栅极金属层，所述栅极金属层连接至所述栅隔离层；以及，漏极金属层，所述漏极金属层连接至所述碳化硅衬底的下侧面。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 泰科天润半导体科技(北京)有限公司 一种交叉式平面栅碳化硅VDMOSFET
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