龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：杭州谱析光晶半导体科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种减少寄生电容的SiCVDMOSFET结构，包括包括多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞结构，所述MOS元胞结构包括漏极、源极、栅极以及半导体基层，其中半导体基层包括衬底层、碳化硅外延层、轻掺杂N体区以及中间P体区；所述半导体的截面形状呈左右两侧低洼中间高的形状；所述漏极与衬底层之间嵌设有底部绝缘层，所述底部绝缘层的截面呈梯形。本发明通过在漏极与衬底层之间增设底部绝缘层，并且加厚氧化层的底部，这样就可以起到增加漏极与栅极的电阻，在漏极与栅极之间接入电压的状态下漏极与栅极也难以形成电场，该设计可以增大栅极与漏极之间形成寄生电荷的难度。
主权项：1.一种减少寄生电容的SiCVDMOSFET结构，包括包括多个水平排列并前后延伸的并联的MOS元胞结构，其特征在于：所述MOS元胞结构包括漏极1、源极4、栅极5以及半导体基层，其中半导体基层包括衬底层2、碳化硅外延层3、轻掺杂N体区6以及中间P体区7；所述半导体的截面形状呈左右两侧低洼中间高的形状；所述漏极1与衬底层2之间淀积有底部绝缘层9，其中底部绝缘层9让单个MOS元胞中的衬底层2呈中间高两侧低洼的形状；所述半导体的中间处开设有沟槽，其中沟槽将轻掺杂N体区6和中间P体区7分为左右两部分，所述栅极5位于沟槽的内部，所述栅极5的底端形成有左右两个凸起，其中左右两个凸起的高度与碳化硅外延层3的高度一致。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 杭州谱析光晶半导体科技有限公司 一种减少寄生电容的SiC VDMOSFET结构
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号