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申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种沟槽型超结SiCVDMOSFET器件，包括多个并联的MOS元胞，MOS元胞包括衬底层和扩散层、P阱区及重掺杂N阱区，单个MOS元胞的轻掺杂P阱区一、重掺杂P阱区二与轻掺杂P阱区二位于两侧并呈横向排列分布，重掺杂N阱区上方刻蚀有U槽，U槽内淀积有栅极；扩散层的上层通过离子注入磷离子形成重掺杂N体区，其中重掺杂N体区与轻掺杂P阱区二底部部分接触。本发明通过在沟槽下方外延区域内离子注入形成重掺杂N阱区，在器件开启时，该N阱区可以牵引JFET区内的电荷向其内部流动，减小JFET区电阻，并且该N阱区与源极N阱区的配合能够抑制电荷沟道中漂移电荷的路径，降低沟道电阻。
主权项：1.一种沟槽型超结SiCVDMOSFET器件，其特征在于，包括多个并联的MOS元胞，MOS元胞包括衬底层5和扩散层7，扩散层7上方通过离子注入形成有P阱区和重掺杂N阱区11，重掺杂N阱区11通过P阱区上方离子注入形成，P阱区包括重掺杂P阱区一6、轻掺杂P阱区一8、重掺杂P阱区二9和轻掺杂P阱区二10；重掺杂P阱区一6位于单个MOS元胞的两侧，且相邻MOS元胞之间共享有一个重掺杂P阱区一6；单个MOS元胞的轻掺杂P阱区一8、重掺杂P阱区二9与轻掺杂P阱区二10位于两侧并呈横向排列分布，其中，轻掺杂P阱区二10紧邻重掺杂N阱区11，重掺杂P阱区二9位于轻掺杂P阱区二10和轻掺杂P阱区一8之间；重掺杂N阱区11上方刻蚀有U槽，U槽内淀积有栅极3；扩散层7的上层通过离子注入磷离子形成重掺杂N体区15，其中重掺杂N体区15与轻掺杂P阱区二10底部部分接触；扩散层7内靠近重掺杂N体区15位置处构成JFET区域12；MOS元胞还包括位于衬底层5底部的漏极1和淀积在扩散层7上方的金属源极2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种沟槽型超结SiC VDMOSFET器件
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