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申请/专利权人：北京清芯微储能科技有限公司
摘要：本发明涉及MOS半导体技术领域，且公开了一种横向变掺杂体二极管的SiCVDMOSFET器件，包括多个水平排列并前后延伸的MOS元胞结构，所述MOS元胞包括衬底层、扩散层、P体区、掺杂N体区以及位于两侧横向变掺杂的P阱层，所述沉底层的下层包括有漏极；所述P体区包括低掺杂P阱层一、高掺杂P阱层一、高掺杂P阱层二、低掺杂P阱层二、高掺杂P阱层三、低掺杂P阱层三以及高掺杂P阱层四。本发明通过在单颗MOS元胞的侧边形成横向变掺杂的P阱层，该设计降低了续流期间注入漂移区的电荷浓度，即加快反向恢复过程中电荷空穴被扫出漂移区的速度，从而解决SiCVDMOSFET寄生体二极管反向恢复特性较差带来的开关功耗增加、器件可靠性下降的问题。
主权项：1.一种横向变掺杂体二极管的SiCVDMOSFET器件，其特征在于，包括多个水平排列并前后延伸的MOS元胞结构，所述MOS元胞包括衬底层2、扩散层3、P体区、掺杂N体区8以及位于两侧横向变掺杂的P阱层，所述沉底层2的下层包括有漏极1；所述P体区包括低掺杂P阱层一4、高掺杂P阱层一9、高掺杂P阱层二12、低掺杂P阱层二11、高掺杂P阱层三13、低掺杂P阱层三15以及高掺杂P阱层四16；所述MOS元胞上淀积有金属源极6，其中掺杂N体区8、P阱层均与金属源极6欧姆接触；所述金属源极6的内部嵌设有栅极7，所述栅极7的外表面包裹有栅氧化层5。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 北京清芯微储能科技有限公司 一种横向变掺杂体二极管的SiC VDMOSFET器件
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