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申请/专利权人：李志福
摘要：本发明涉及涉及一种基于Bonding和Sim‑bond技术的SOI硅片的制造方法，采用A（A1、A2）、B两种基片，其中基片A使用氧化工艺制备二氧化硅层作为SOI硅片的绝缘层；基片B制备重掺P型层作为选择性腐蚀截至层，在P型层上采用外延工艺生长100晶向N型外延层作为SOI顶层硅；采用真空键合工艺结合绝缘层和顶层硅，制成初步键合硅片；初步键合硅片去除基片B的单晶硅本体，再去除基片B的P型层，形成SOI键合片；将SOI键合片再进行高温退火、抛光、清洗，完成全部制作过程。本专利提出的办法具有生产成本低，工艺方法成熟、稳定、可控的优点。
主权项：1.一种基于Bonding和Sim-bond技术的SOI硅片制造方法，其特征在于，包括以下步骤：S1制备基片A1：对SOI硅片基材依次采用DHF、SC1和SC2清洗，清洗后进行双面氧化，使SOI硅片基材的正面和背面均生成热氧二氧化硅层；S2制备基片A2：对步骤S1获得的基片A1的一面按设计尺寸进行干法刻蚀窗口，清洗后，得到具有刻蚀窗口的基片A2;S3制备基片B：对SOI硅片基材依次采用DHF、SC1和SC2清洗，清洗后进行高浓度硼注入，退火，在基片表面制备深度为0.5μm～1μm，杂质浓度5E19cm-3的P型硅；接着，在P型层上外延N型层，得到具有顶层硅的基片B；S4基片A1、基片A2与基片B键合：通过真空键合工艺，把基片A1、基片A2的二氧化硅面与基片B的N型外延面键合在一起，形成初步键合片；S5完成SOI硅片制备：通过选择性腐蚀工艺，去除初步键合片的基片B重掺P型层外的N型单晶本体，再去除基片B重掺P型层，只留下N型外延层，制成SOI键合片；再对SOI键合片进行高温退火，形成完美键合界面，抛光、平整顶层硅表面,清洗，完成SOI硅片制备。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 李志福 一种基于Bonding和Sim-bond技术的SOI硅片制造方法
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