龙图腾网&IPTOP
- 微信扫码登录
- 账号密码登录
- 短信登录/注册
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
申请/专利权人：中山大学
摘要：本发明涉及集成光电子器件和半导体材料技术领域，更具体地，涉及一种在SOI上侧向选区异质外延高质量埋藏式量子阱的方法，本发明在晶向的绝缘衬上硅Silicon‑On‑Insulator,SOI晶圆上用选区异质外延的方式，通过调控III‑V薄膜生长前沿以及InGaAs量子阱在晶面的厚度，将沿取向的高质量埋藏式InGaAsIII‑V量子阱嵌入在均匀侧向III‑V薄膜中，用以实现侧向p‑i‑n结构激光二极管的方法。
主权项：1.一种在SOI上侧向选区异质外延高质量埋藏式量子阱的方法，其特征在于，包括以下步骤：S1：在SOI晶圆上制备用于侧向选区异质外延的侧向沟槽；S2：在所述侧向沟槽上生长III-V族半导体薄膜并控制所述III-V族半导体薄膜在倾斜面的生长速率大于垂直面的生长速率，得到拥有一个垂直面和两个倾斜面的III-V族半导体薄膜生长前沿；S3：在所述III-V族半导体薄膜生长前沿生长量子阱并控制所述量子阱在的倾斜面的生长速率小于垂直面的生长速率，得到埋藏式量子阱。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中山大学 一种在SOI上侧向选区异质外延高质量埋藏式量子阱的方法
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
主营中国专利交易买卖与专利转让许可,高校科技成果推广与科技成果转化,知识产权运营管理与平台开发,科技人才专家库与科技猎头等科技服务
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号