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申请/专利权人：广州增芯科技有限公司
摘要：本发明提供了一种基于SOI晶圆的芯片制造的电荷释放孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：在器件制造工艺的STI形成后，在至少部分的STI中形成第一部分释放孔，第一部分释放孔贯穿SOI晶圆中的氧化埋层至衬底层；在第一部分释放孔内填充多晶硅，并对填充有多晶硅的第一部分释放孔进行离子注入和热退火，调节第一部分释放孔的阻值；在第一部分释放孔的位置形成金属硅化物；在形成器件的接触孔的同时，对应第一部分释放孔的位置形成至少一个第二部分释放孔；在第二部分释放孔内填充导电耐热性金属。本发明提供的技术方案，消除了在电荷释放孔的制作工艺中对器件的接触孔等其他制作工艺产生一系列的不利影响，减小了电荷释放孔的接触阻值。
主权项：1.一种基于SOI晶圆的芯片制造的电荷释放孔的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤S1：在前道制造工艺的STI中隔离介质形成后，在至少部分的所述STI中形成第一部分释放孔，所述第一部分释放孔贯穿所述SOI晶圆中的氧化埋层至衬底层；步骤S2：在所述第一部分释放孔内填充多晶硅，并对填充有多晶硅的第一部分释放孔进行离子注入和热退火，调节所述第一部分释放孔的阻值；步骤S3：在所述第一部分释放孔的位置形成金属硅化物；步骤S41：在形成器件的接触孔的同时，对应所述第一部分释放孔的位置形成至少一个第二部分释放孔；步骤S42：在所述第二部分释放孔内填充导电耐热性金属。
全文数据：
权利要求：
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