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申请/专利权人：中国石油大学(华东)
摘要：本发明公开了基于MEMS工艺制备的三层结构FAIMS芯片，属于芯片制造领域，本发明通过把离化区、迁移区、收集检测区高度整体集成为三层结构FAIMS芯片，利用微米尺度蛇形沟道结构使微型腔室得到更加均匀的流速和更少的死体积，从而实现离子快速迁移大大降低了离子传输损耗，并且只需提供500V以上的电压便可以构成迁移区所需要高场E≥10000Vcm的条件，并且蛇形沟道是由许多个流速一样，分离尺寸一致，分离电压一样的小沟道共同组成，使得所有通道的分离结果是相近的，因此可以并联10‑20路小沟道检测电极共同进行检测，大大提高了检测的灵敏度和减小了响应时间。
主权项：1.基于MEMS工艺制备的三层结构FAIMS芯片，其特征在于，包括微型腔室、上升段小单元和下降段小单元，所述上升段小单元包括离化区、迁移区和收集检测区；所述上升段小单元和下降段小单元分别组成蛇形微型腔室中的上升侧通道和下降侧通道；所述离化区包括载于所述微型腔室顶部氟化镁薄片基板的紫外灯离子源；所述迁移区包括设置在所述微型腔室顶部氟化镁薄片基板的第一分离金属电极和设置在所述微型腔室底部石英薄片基板的第二分离金属电极；所述收集检测区包括设置在所述微型腔室顶部氟化镁薄片基板的第一检测金属电极和设置在所述微型腔室底部石英薄片基板的第二检测金属电极。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 中国石油大学(华东) 基于MEMS工艺制备的三层结构FAIMS芯片及方法
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