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申请/专利权人：湖南大学
摘要：本发明属于纳米材料领域，具体涉及卤化物钙钛矿二维半导体范德华异质结制备方法，预先在基底上沉积形成MX2二维半导体，随后将卤化物钙钛矿的前驱原料在所述的MX2二维半导体的表面气相沉积，制得所述的卤化物钙钛矿二维半导体范德华异质结；所述的MX2二维半导体通过控气PVD方法制备，其步骤为：将MX2粉末预先在逆向载气气流下升温至PVD沉积温度，随后切换气流为正向气流，将挥发的MX2在基片上物理气相沉积，沉积完成后继续切换成反相气流，制得所述的MX2二维半导体；所述的卤化物钙钛矿的化学表达式为ABX3。本发明还包括所述的制备方法制得的材料及其在激光方面的应用。本发明提供了一种全新的材料，且其具有优异的激光性能。
主权项：1.卤化物钙钛矿二维半导体范德华异质结制备方法，其特征在于，预先在基底上沉积形成MX2二维半导体，随后将卤化物钙钛矿的前驱原料在所述的MX2二维半导体的表面气相沉积，制得所述的卤化物钙钛矿二维半导体范德华异质结；所述的MX2二维半导体中，所述的M包括W、Mo中的至少一种，所述的X包括S、Se中的至少一种；所述的MX2二维半导体通过控气PVD方法制备，其步骤为：将MX2粉末预先在逆向载气气流下升温至PVD沉积温度，随后切换气流为正向气流，将挥发的MX2在基片上物理气相沉积，沉积完成后继续切换成反相气流，制得所述的MX2二维半导体；所述的卤化物钙钛矿的化学表达式为ABX3；所述的A为Cs、MA中的至少一种；B为Pb、Sn中的至少一种；所述的X为Br、I中的至少一种卤素元素。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 湖南大学 卤化物钙钛矿/二维半导体范德华异质结及其制备方法和应用
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