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申请/专利权人：西安电子科技大学
摘要：本发明公开了一种PIN型范德华异质结深紫外光电探测器及其制备方法，主要解决现有氧化镓基深紫外光电探测器无法在获得高光电增益的同时兼顾较快的响应速度的问题。其包括：衬底、缓冲层、底电极、感光层和顶电极。该感光层采用自下而上为N型宽禁带半导体β‑Ga2O3层、Sb2O3范德华材料插层、P型Si外延层的多层半导体材料复合结构，以形成深紫外光响应及能带中的单极电子阻挡层，该底电极位于β‑Ga2O3层上的一侧，其与Sb2O3范德华材料插层处于同一平面，以抽取阻挡层中累积的光生电子。本发明具有对深紫外的强光响应，提高了探测器的光电增益、响应度和探测率，加快了响应速度，可用于低噪声的深紫外光波段单光子探测及紫外通讯。
主权项：1.一种PIN型范德华异质结深紫外光电探测器，包括：衬底1、缓冲层2、底电极3、感光层4和顶电极5，其特征在于：所述感光层4，采用自下而上依次为N型宽禁带半导体β-Ga2O3层41、Sb2O3范德华材料插层42和P型Si外延层43的多层半导体材料复合结构，以使器件具有深紫外波段的光响应及能带结构中的单极电子阻挡层，提高器件的响应度、探测率和响应速度；所述底电极3位于β-Ga2O3层41上的一侧，其与Sb2O3范德华材料插层42处于同一平面，以抽取掉阻挡层中累积的光生电子，降低光生载流子的复合概率，进一步提高响应度。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安电子科技大学 PIN型范德华异质结深紫外光电探测器及其制备方法
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