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申请/专利权人：肇庆绿宝石电子科技股份有限公司

摘要：本申请涉及电容器技术领域，涉及一种极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，包括如下步骤：S1、在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；S2、在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；S3、通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；S4、通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料。本发明能够在降低生产成本的情况下进一步降低晶片电容器ESR以及稳定回流焊时ESR值，并进一步提高了漏电流合格率。

主权项：1.一种极低ESR的晶片电容器单元的制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：S1、在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层；S2、在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层；S3、通过含浸导电石墨浆料在所述第二导电聚合层上形成石墨层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电石墨浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料；S4、通过含浸导电银浆浆料在所述导电石墨层上形成导电银层，所述阀金属箔片含浸完成后脱离所述导电银浆浆料时进行双轴震动含浸槽体且脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料；所述S1、在阀金属箔片的阴极区通过真空化学聚合形成第一导电聚合层，具体包括以下步骤：真空条件下，将阀金属箔片的阴极区先含浸单体溶液再含浸氧化溶液，进行至少1次循环，循环完成后再含浸单体溶液一次并进行烘干；所述真空条件的真空度选自-90Kpa~-100Kpa；所述循环的过程中不进行烘干；所述单体溶液由以下原料按重量百分比组成：单体0.5wt%~13.5wt%、溶剂80wt%~95wt%、掺杂剂0.5wt%~5wt%、添加剂0.5wt%~2wt%；所述氧化溶液由以下原料按重量百分比组成：氧化剂1wt%~19wt%、溶剂81wt%~99wt%；所述S2、在所述第一导电聚合层上通过真空电化学聚合形成第二导电聚合层具体包括以下步骤：将具有第一导电聚合层的阀金属箔片含浸聚合溶液进行真空电化学聚合形成第二导电聚合层；所述真空条件的真空度选自-90Kpa~-100Kpa；所述聚合溶液由以下原料按重量百分比组成：单体0.5wt%~15wt%、溶剂80wt%~95wt%、掺杂剂2.5wt%~6wt%、添加剂0.5wt%~2wt%；所述掺杂剂选自聚乙烯磺酸及其盐、聚苯乙烯磺酸及其盐、脂肪族磺酸及其盐、芳香族磺酸及其盐、间磺基苯甲酰胺、3-磺基-1，8-萘二甲酸酐和4-磺基-1，8-萘二甲酸酐、碘化钠中的至少一种；所述添加剂选自氟化丙烯酸共聚物、对苯二酚衍生物、油酸三乙醇胺和油酸肌氨酸钠中的至少一种；步骤S3中，所述脱离后通过高压气体去除多余的导电石墨浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电石墨浆料后通过移动的风刀朝向所述阀金属箔片的侧面吹高压气体，以通过所述高压气体去除多余的导电石墨浆料；其中，所述风刀设于所述阀金属箔片的上方，沿所述阀金属箔片的宽度方向移动，所述风刀的移动速度为1cms~15cms，所述高压气体的压强选自0.4MPa~1MPa；步骤S4中，所述脱离后通过软丝去除多余的导电银浆浆料具体是指：阀金属箔片脱离所述导电银浆浆料后通过软丝接触所述阀金属箔片侧面且移动下刮，以通过软丝去除多余的导电银浆浆料；其中，所述软丝横向进入银浆深约0.02mm~0.06mm。

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