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申请/专利权人：中环领先半导体科技股份有限公司
摘要：本申请公开了一种硅片的腐蚀方法和硅片。一种硅片的腐蚀方法，采用腐蚀液对硅片进行腐蚀，硅片具有朝向所述腐蚀液的腐蚀面；腐蚀方法包括：硅片以转速V转动；向腐蚀面喷洒所述腐蚀液；形成反应产物，反应产物位于腐蚀面；去除至少部分反应产物，反应产物随硅片转动，以脱离腐蚀面；当硅片的电阻率达到阈值时，腐蚀液停止对硅片腐蚀。本申请提供一种硅片的腐蚀方法，具有电阻率选择性，可以实现腐蚀自停止，同时可以改善硅片膜厚的均匀性。
主权项：1.一种硅片的腐蚀方法，其特征在于，采用腐蚀液对所述硅片100进行腐蚀，所述硅片100具有朝向所述腐蚀液的腐蚀面；所述腐蚀方法包括：所述硅片100以转速V转动；向所述腐蚀面喷洒所述腐蚀液；形成反应产物，所述反应产物位于所述腐蚀面；去除至少部分所述反应产物，所述反应产物随所述硅片100转动，以脱离所述腐蚀面；当所述硅片100的电阻率达到阈值时，所述腐蚀液停止对所述硅片100腐蚀。
全文数据：
权利要求：
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