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申请/专利权人:中环领先半导体科技股份有限公司
摘要:本申请公开了一种硅片的腐蚀方法和硅片。一种硅片的腐蚀方法,采用腐蚀液对硅片进行腐蚀,硅片具有朝向所述腐蚀液的腐蚀面;腐蚀方法包括:硅片以转速V转动;向腐蚀面喷洒所述腐蚀液;形成反应产物,反应产物位于腐蚀面;去除至少部分反应产物,反应产物随硅片转动,以脱离腐蚀面;当硅片的电阻率达到阈值时,腐蚀液停止对硅片腐蚀。本申请提供一种硅片的腐蚀方法,具有电阻率选择性,可以实现腐蚀自停止,同时可以改善硅片膜厚的均匀性。
主权项:1.一种硅片的腐蚀方法,其特征在于,采用腐蚀液对所述硅片100进行腐蚀,所述硅片100具有朝向所述腐蚀液的腐蚀面;所述腐蚀方法包括:所述硅片100以转速V转动;向所述腐蚀面喷洒所述腐蚀液;形成反应产物,所述反应产物位于所述腐蚀面;去除至少部分所述反应产物,所述反应产物随所述硅片100转动,以脱离所述腐蚀面;当所述硅片100的电阻率达到阈值时,所述腐蚀液停止对所述硅片100腐蚀。
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权利要求:
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