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申请/专利权人：至芯半导体(杭州)有限公司
摘要：本发明提供一种利用石墨盘和衬底生长AlN外延层的方法，包括用于放置衬底的石墨盘和衬底，具体特征如下：1放置衬底的石墨盘凹槽靠近外边界有一圈凸起，高0.1‑1mm，与石墨盘凹槽底部形成同心圆环的结构；2衬底边缘背面一圈进行刻蚀，形成深度为0.1‑0.5mm的凹槽，所形成的环状凹槽刚好和石墨盘表面凸起契合，使石墨盘凸起可以嵌入刻蚀衬底背面凹槽中；3使用所述石墨盘以及衬底生长AlN外延层；本发明一方面解决了为获得晶体质量较高的AlN层而导致AlN层容易出现裂纹的情况，另一方面降低了离心力对衬底的影响，得到较好均匀性的片源，综合以上两点，整体提高了良率。
主权项：1.一种利用石墨盘和衬底生长AlN外延层的方法，其特征在于，包括如下步骤：1在放置衬底的石墨盘凹槽靠近外边界形成一圈凸起，高0.1-1mm，与石墨盘凹槽底部形成同心圆环的结构；2对衬底边缘背面进行刻蚀，形成深度0.1-0.5mm的环状凹槽，所述环状凹槽的宽度为1mm或1.1mm，所形成的环状凹槽和石墨盘表面圆环凸起契合，使石墨盘表面圆环凸起嵌入衬底背面凹槽中；3在所述衬底上生长AlN外延层。
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权利要求：
百度查询： 至芯半导体(杭州)有限公司 利用石墨盘和衬底生长AlN外延层的方法和石墨盘
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