申请/专利权人:浙江大立科技股份有限公司
申请日:2023-09-15
公开(公告)日:2024-07-05
公开(公告)号:CN221275212U
主分类号:B81B7/00
分类号:B81B7/00;B81C1/00
优先权:
专利状态码:有效-授权
法律状态:2024.07.05#授权
摘要:本实用新型提供了一种真空封装结构。真空封装结构包括:衬底;导电基座,导电基座设置在衬底表面;第一吸气剂层,第一吸气剂层设置于导电基座表面;微桥结构,微桥结构支撑设置于第一吸气剂层的表面;第二吸气剂层,第二吸气剂层设置于导电基座表面,且位于第一吸气剂层与微桥结构围合的空间内。本实用新型无需在元器件封装管壳上焊接吸气剂柱或吸气剂片,无需在盖板上为吸气剂提供额外空间,在减小元器件封装尺寸,降低器件成本的情况下,增大了吸气剂的暴露面积,提高了元器件的真空度;且能够通过电激活或热激活方式对第一吸气剂层及第二吸气剂层进行多次激活,增加第一吸气剂层及第二吸气剂层的寿命。
主权项:1.一种真空封装结构,其特征在于,包括:衬底;导电基座,所述导电基座设置在所述衬底表面;第一吸气剂层,所述第一吸气剂层设置于所述导电基座表面;微桥结构,所述微桥结构支撑设置于所述第一吸气剂层的表面;第二吸气剂层,所述第二吸气剂层设置于所述导电基座表面,且位于所述第一吸气剂层与所述微桥结构围合的空间内。
全文数据:
权利要求:
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