申请/专利权人：惠科股份有限公司

申请日：2023-06-21

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN116544244B

主分类号：H01L27/12

分类号：H01L27/12;H10K59/122

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2023.08.22#实质审查的生效;2023.08.04#公开

摘要：本申请提供一种阵列基板以及显示面板，阵列基板包括衬底、多晶硅有源层、第一栅绝缘层、第一金属层、第二栅绝缘层、氧化物有源层；其中，氧化物有源层包括第一沟道区和位于第一沟道区两侧的第一掺杂区；第一金属层经一次光罩工艺形成间隔设置的第一栅极、第一源极以及第一漏极；第一栅极位于第一沟道区的正下方；第一源极和第一漏极分别与第一沟道区两侧的第一掺杂区连接，且第一源极或第一漏极朝向背离第一栅极的方向延伸，以作为存储电容的下极板层。具体的，本申请通过一次光罩工艺形成氧化物有源层的第一栅极、第一源极、第一漏极，以及存储电容的下极板，可以减少基板制作过程中的光罩工艺，进而减少制作成本，且简化制作工艺。

主权项：1.一种阵列基板，其特征在于，包括：衬底；多晶硅有源层，设置于所述衬底的一侧；第一栅绝缘层，设置于所述衬底的一侧且覆盖所述多晶硅有源层；第一金属层，设置于所述第一栅绝缘层背离所述多晶硅有源层的一侧；第二栅绝缘层，设置于所述第一栅绝缘层背离所述多晶硅有源层的一侧，且覆盖所述第一金属层；氧化物有源层，设置于所述第二栅绝缘层背离所述第一栅绝缘层的一侧；其中，所述氧化物有源层包括第一沟道区和位于所述第一沟道区两侧的第一掺杂区；所述多晶硅有源层包括第二沟道区和位于所述第二沟道区两侧的第二掺杂区；所述第一金属层经一次光罩工艺形成间隔设置的第一栅极、第一源极、第一漏极以及第二栅极；所述第一栅极位于所述第一沟道区的正下方；所述第一源极和所述第一漏极分别与所述第一沟道区两侧的第一掺杂区连接，且所述第一源极或所述第一漏极朝向背离所述第一栅极的方向延伸，以作为存储电容的下极板层，所述第二栅极位于所述第二沟道区的正上方；其中，所述阵列基板还包括：层间介质层，设置于所述第二栅绝缘层背离所述第一栅绝缘层的一侧，且覆盖所述氧化物有源层；第二金属层，设置于所述层间介质层背离所述第二栅绝缘层的一侧；其中，所述第二金属层经一次光罩工艺形成间隔设置的第二源极、第二漏极、第一导电层以及第二导电层；所述第二源极和所述第二漏极分别通过第二接触孔与所述第二沟道区两侧的所述第二掺杂区连接，所述第一导电层和所述第二导电层分别通过第三接触孔与所述第一源极和所述第一漏极连接；所述第二接触孔贯穿所述第一栅绝缘层、所述第二栅绝缘层以及所述层间介质层；所述第三接触孔贯穿所述第二栅绝缘层以及所述层间介质层，所述第二接触孔和所述第三接触孔由同一光罩工艺形成。

全文数据：

权利要求：

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