申请/专利权人：武汉华星光电技术有限公司

申请日：2022-10-12

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN115598890B

主分类号：G02F1/1343

分类号：G02F1/1343;G02F1/1362;G02F1/1333

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2023.02.07#实质审查的生效;2023.01.13#公开

摘要：本申请提供一种阵列基板及显示面板，包括：基板；多个像素电极，设置于基板上；以及公共电极，设置于基板上，与多个像素电极在阵列基板的厚度方向上层叠设置，与多个像素电极重叠且电性绝缘，且与每个像素电极共同构成一个存储电容的部分；其中，至少一个像素电极包括像素电极凹凸结构，像素电极凹凸结构包括像素电极凹结构和像素电极凸结构；和或，公共电极包括与至少一个像素电极重叠的公共电极凹凸结构，公共电极凹凸结构包括公共电极凹结构和公共电极凸结构。本申请通过至少一个像素电极包括像素电极凹凸结构，和或，公共电极包括与至少一个像素电极重叠的公共电极凹凸结构，以增加至少一个存储电容的电容值，降低串扰风险。

主权项：1.一种阵列基板，其特征在于，所述阵列基板包括：基板；第一平坦化层，设置于所述基板上，所述第一平坦化层远离所述基板的表面上具有平坦化层凹凸结构，所述平坦化层凹凸结构包括平坦化层凹结构和平坦化层凸结构；多个像素电极，设置于所述基板上且位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧，所述像素电极包括像素电极主体部和分布于所述像素电极主体部中的狭缝，至少一个所述像素电极包括像素电极凹凸结构，所述像素电极凹凸结构包括相邻设置的像素电极凹结构和像素电极凸结构，所述像素电极凸结构位于所述像素电极主体部的一部分位置，所述像素电极凸结构不与所述狭缝重叠，所述像素电极凹结构除了与所述狭缝重叠且还与所述像素电极主体部的另一部分重叠，所述像素电极主体部的另一部分为所述像素电极主体部除所述像素电极凸结构之外的部分，所述平坦化层凹结构与所述像素电极凹结构重叠，所述平坦化层凸结构与所述像素电极凸结构重叠；以及公共电极，设置于所述基板上且位于所述第一平坦化层远离所述基板的一侧，与多个所述像素电极在所述阵列基板的厚度方向上层叠设置，并与多个所述像素电极重叠且电性绝缘，且与每个所述像素电极共同构成一个存储电容的部分，所述公共电极包括与至少一个所述像素电极重叠的公共电极凹凸结构，所述公共电极凹凸结构相邻设置的包括公共电极凹结构和公共电极凸结构，所述公共电极凹结构与所述像素电极凹结构重叠，所述公共电极凸结构与所述像素电极凸结构重叠。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 武汉华星光电技术有限公司 阵列基板及显示面板

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