申请/专利权人：通富微电子股份有限公司

申请日：2020-11-25

公开（公告）日：2024-07-05

公开（公告）号：CN112490183B

主分类号：H01L21/768

分类号：H01L21/768

优先权：

专利状态码：有效-授权

法律状态：2024.07.05#授权;2021.03.30#实质审查的生效;2021.03.12#公开

摘要：本申请提供了一种多芯片封装方法，包括：提供第一圆片，第一圆片设有若干矩阵排列的主芯片，主芯片的正面设置有多个第一焊盘；在每个主芯片上分别形成多个第一电连接件和多个第二电连接件，其中第一电连接件和第二电连接件分别与对应位置处的第一焊盘电连接，第一电连接件的高度大于第二电连接件的高度，且至少部分相邻主芯片的第二电连接件相邻设置；在相邻主芯片的相邻第二电连接件上设置桥接芯片；在第一圆片的正面形成塑封层，第一电连接件从塑封层中露出；切割第一圆片，以获得多个封装体，其中封装体中包含电连接的至少两个主芯片和至少一个桥接芯片。通过上述方式能够解决芯片重布过程中所存在的对位问题，降低对位所需的器件成本。

主权项：1.一种多芯片封装方法，其特征在于，包括：提供第一圆片，所述第一圆片设有若干矩阵排列的主芯片，相邻所述主芯片之间设置有非贯通的划片槽，所述第一圆片包括相背设置的正面和背面，所述主芯片的正面即所述第一圆片的正面，所述主芯片的背面即所述第一圆片的背面，所述主芯片的正面设置有多个第一焊盘；在每个所述主芯片上分别形成多个第一电连接件和多个第二电连接件，其中，所述第一电连接件和所述第二电连接件分别与对应位置处的第一焊盘电连接，所述第一电连接件的高度大于所述第二电连接件的高度，且至少部分相邻所述主芯片的所述第二电连接件相邻设置；去除所述划片槽位置处的部分所述第一圆片，以使得所述划片槽的深度增大，在所述划片槽内形成绝缘层；在相邻所述主芯片的相邻所述第二电连接件上设置桥接芯片，以使得相邻所述主芯片通过所述桥接芯片电连接；在所述第一圆片的正面形成塑封层，所述第一电连接件从所述塑封层中露出；利用可去除的第一胶膜将所述桥接芯片背离所述第一圆片一侧贴附在第一载板上；切割所述第一圆片，以获得多个封装体，其中所述封装体中包含电连接的至少两个所述主芯片和至少一个所述桥接芯片；其中，所述在相邻所述主芯片的相邻所述第二电连接件上设置桥接芯片的步骤中，所述第一电连接件背离所述第一圆片的一侧低于所述桥接芯片背离所述第一圆片的一侧，或者，所述第一电连接件背离所述第一圆片的一侧与所述桥接芯片背离所述第一圆片的一侧齐平；所述在相邻所述主芯片的相邻所述第二电连接件上设置桥接芯片的步骤之前，还包括：提供第二圆片，所述第二圆片上设有若干矩阵排列的桥接芯片；所述桥接芯片的正面即所述第二圆片的正面，所述桥接芯片的背面即所述第二圆片的背面，所述桥接芯片的正面设置有多个第二焊盘；利用可去除的第二胶膜将所述第二圆片的正面贴附在第二载板上；研磨所述第二圆片的背面，以减薄所述第二圆片的厚度；利用可去除的第三胶膜将所述第二圆片的背面贴附在第三载板上；去除所述第二胶膜和所述第二载板。

全文数据：

权利要求：

百度查询： 通富微电子股份有限公司 多芯片封装方法

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