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申请/专利权人：西安炬光科技股份有限公司
申请日：2019-08-29
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN110544871B
主分类号：H01S5/0232
分类号：H01S5/0232;H01S5/40;H01S5/0231
优先权：
专利状态码：有效-授权
法律状态：2024.07.05#授权;2023.08.04#专利申请权的转移;2019.12.31#实质审查的生效;2019.12.06#公开
摘要：本发明提供一种半导体激光器的封装结构及叠阵结构，涉及半导体器件封装技术领域。该叠阵封装结构包括：包括：半导体激光芯片、导电衬底、补强片。半导体激光芯片的两个键合面各与一个导电衬底平行且键合。补强片固定于导电衬底的侧面，且补强片平行于半导体激光芯片与导电衬底的堆叠方向，其中，补强片的热膨胀系数大于半导体激光芯片和导电衬底组合体的膨胀系数，使得补强片对半导体激光芯片和陶瓷基板在厚度方向施加足够的压应力，与半导体激光芯片和导电衬底自身厚度方向上的拉应力相抵消，降低了GS结构中半导体激光芯片开裂的风险。
主权项：1.一种半导体激光器的封装结构，其特征在于，包括：半导体激光芯片、导电衬底、补强片；所述半导体激光芯片的两个键合面各与一个所述导电衬底平行且键合；所述补强片固定于所述导电衬底的侧面，且所述补强片平行于所述半导体激光芯片与所述导电衬底的堆叠方向，其中，所述补强片的热膨胀系数大于所述半导体激光芯片和所述导电衬底组合体的膨胀系数。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 西安炬光科技股份有限公司 半导体激光器的封装结构及叠阵结构
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