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申请/专利权人：和光同程光伏科技(宜宾)有限公司
摘要：本发明公开了基于poly叠层优化的TOPCon电池制备方法，涉及电池制备领域，包括S1、制备第一隧穿氧化层；S2、在第一隧穿氧化层上制备第一非晶硅层；S3、在第一非晶硅层上制备第二隧穿氧化层；S4、在第二隧穿氧化层上制备第二非晶硅层；S5、在第二非晶硅层上制备第三非晶硅层；S6、在第三非晶硅层上制备Mask保护层；S7、高温退火并去除Mask保护层；S8、在第三非晶硅层上制备氮化硅减反层；S9、在氮化硅减反层上印刷银浆；通过本方法制作TOPCon电池，第二隧穿氧化层、第二非晶硅层和第三非晶硅层不需要进行任何去除动作，同时本方法采用全面隧穿及非晶硅方式，实现了与产线设备100%的兼容，无需新增任何设备，降低成本的同时还可以实现效率的提升。
主权项：1.基于poly叠层优化的TOPCon电池制备方法，其特征在于，由以下步骤组成：S0、在400-450℃的情况下，向炉管中增加5000-50000sccm区间的氮气N2吹扫，去除炉管中的空气；S1、向炉管中通入一氧化二氮，在硅基底的背面进行氧化形成第一隧穿氧化层；S2、向炉管中通入硅烷、磷烷和氢气进行沉积，在第一隧穿氧化层上形成第一非晶硅层；S3、向炉管中通入硅烷沉积后，通入一氧化二氮，进行氧化，在第一非晶硅层上形成第二隧穿氧化层；S4、向炉管中通入硅烷、磷烷和氢气进行沉积，在第二隧穿氧化层上形成第二非晶硅层；S5、继续向炉管中通入硅烷、磷烷和氢气进行沉积，在第二非晶硅层上形成第三非晶硅层；S6、向炉管中通入硅烷和一氧化二氮进行反应，在第三非晶硅层上形成Mask保护层；S7、高温退火并用试片清洗法RCA去除MASK保护层；S8、在第三非晶硅层上采用PECVD法沉积氮化硅减反层；S9、在氮化硅减反层上印刷银浆，烘干烧结后进行光注入处理，完成TOPCon电池背面的poly叠层优化结构的制作。
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权利要求：
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