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一种基于碳纳米管的低面积开销的片上振荡器 

申请/专利权人:中国人民解放军国防科技大学

申请日:2024-06-04

公开(公告)日:2024-07-05

公开(公告)号:CN118300538A

主分类号:H03B5/12

分类号:H03B5/12;H03B1/04

优先权:

专利状态码:在审-实质审查的生效

法律状态:2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开

摘要:本发明公开一种基于碳纳米管的低面积开销的片上振荡器,包括:第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管,由第一电感、第二电感、第一电容、第二电容共同构成振荡回路,第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管为碳纳米管场效应晶体管,第一电感、第二电感、第一电容、第二电容为金属性碳纳米管,第一电感的两端对应与第二电感的两端通过连接件连接以形成容纳空间,第一电容、第二电容集成设置在由第一电感与第二电感连接所形成的容纳空间内部以形成谐振腔。本发明具有结构简单、频率与可靠性高、噪声与面积等优点,能够实现低面积开销、低噪声、高可靠性与高频率的片上振荡器。

主权项:1.一种基于碳纳米管的低面积开销的片上振荡器,其特征在于,包括:第一电感、第二电感、第一电容、第二电容、第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管,由所述第一电感、第二电感、第一电容、第二电容共同构成振荡回路,所述第一晶体管、第二晶体管以及第三晶体管为碳纳米管场效应晶体管,所述第一电感、第二电感、第一电容、第二电容为金属性碳纳米管,所述第一电感的两端对应与所述第二电感的两端通过连接件连接以形成容纳空间,所述第一电容、第二电容集成设置在由所述第一电感与所述第二电感连接所形成的容纳空间内部以形成谐振腔。

全文数据:

权利要求:

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