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申请/专利权人：温州大学
摘要：本发明公开了一种基于碳纳米管场发射传感器的氦气真空漏率检测方法，该碳纳米管场发射传感器包括碳纳米管阴极和导电阳极，所述的碳纳米管阴极的拉曼非晶峰ID石墨峰IG的比值在1.0以上，其压强测试方法为：场发射电流调节到初始小发射电流，记录t时间内场发射电流的平均值，形成碳纳米管场发射传感器的传感特性曲线，通过对传感特性曲线进行拟合来形成指示曲线；将不同He压强换算成对应的真空漏率；将碳纳米管阴极封装入真空腔体后，当形成的He流达到平衡时进行测试，测试完成后得到t时间内电流变化的平均值，将此值与指示曲线进行对应得到系统的真空漏率。本申请的方案通过监测He渗入到动态真空系统后压强的变化对动态真空系统的漏率进行监测。
主权项：1.基于碳纳米管场发射传感器的氦气真空漏率检测方法，其特征在于：该碳纳米管场发射传感器包括有碳纳米管阴极和导电阳极，所述的碳纳米管阴极的拉曼非晶峰ID石墨峰IG的比值为1.0以上，其压强测试方法为：1在进行压强测试之前，首先使用较大的场发射电流密度J0对碳纳米管阴极进行焦耳热除气；除气时间为t0，焦耳热会使碳纳米管表面的吸附气体脱附，达到本征发射状态；2除气完成后，迅速将场发射电流调节到初始小发射电流，记录t时间内场发射电流的平均值，在不同的He压强下对传感器阴极的场发射传感效应进行测试，从而形成此碳纳米管场发射传感器的传感特性曲线，通过对传感特性曲线进行拟合来形成指示曲线；并可将不同He压强换算成对应的真空漏率；3将碳纳米管阴极封装入真空腔体后，当形成的He流达到平衡时进行测试，测试完成后得到t时间内电流变化的平均值，将此值与步骤2拟合的指示曲线进行对应即可得到系统的真空漏率。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 温州大学 基于碳纳米管场发射传感器的氦气真空漏率检测方法
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