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申请/专利权人：连科半导体有限公司
申请日：2024-04-07
公开（公告）日：2024-07-05
公开（公告）号：CN118292103A
主分类号：C30B25/14
分类号：C30B25/14;C30B29/36
优先权：
专利状态码：在审-实质审查的生效
法律状态：2024.07.23#实质审查的生效;2024.07.05#公开
摘要：本发明属于碳化硅技术领域，具体的说是一种碳化硅化学气相沉积系统混气装置，包括石英方管；所述石英方管的内部开设有五个通道；所述石英方管的出气端设置有反应腔；所述石英方管与反应腔之间通过连接单元连通；所述反应腔的内部底面固接有固定单元；所述固定单元上固定有衬底片；所述石英方管的五个通道依次通入C2H4+N2+H2、TCS+H2、C2H4+N2+H2、TCS+H2和C2H4+N2+H2；通过将碳源气体和硅源气体进行分隔单独进气的方式，避免了碳源气体和硅源气体在刚进入反应腔便由于高温发生大量反应，从而导致反应腔前端沉积大量碳化硅颗粒；通过减少反应腔前端碳化硅沉积，继而可降低碳化硅颗粒脱落概率，延长设备的维护周期提高设备利用率。
主权项：1.一种碳化硅化学气相沉积系统混气装置，其特征在于：包括石英方管（1）；所述石英方管（1）的内部开设有五个通道；所述石英方管（1）的出气端设置有反应腔（2）；所述石英方管（1）与反应腔（2）之间通过连接单元连通；所述反应腔（2）的内部底面固接有固定单元；所述固定单元上固定有衬底片（3）；所述石英方管（1）的五个通道依次通入C2H4+N2+H2、TCS+H2、C2H4+N2+H2、TCS+H2和C2H4+N2+H2。
全文数据：
权利要求：
百度查询： 连科半导体有限公司 一种碳化硅化学气相沉积系统混气装置
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